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为什么砷化镓比硅更适合？
砷化镓比硅更适合于制作单片微波集成电路（包括超高速电路）主要是由于：
①半绝缘砷化镓衬底的电阻率高达107～109欧·厘米，微波传输损耗小；
②砷化镓电子迁移率比硅高5倍左右，工作频率高，速度快；
③关键有源器件砷化镓金属－半导体场效应晶体管是一种多功能器件，抗辐照性能好，所以砷化镓单片微波集成电路在固态相控阵雷达、电子对抗设备、战术导弹、电视卫星接收、微波通信和超高速计算机、大容量信息处理方面有广泛的应用前景。
砷化硅是什么？
砷化硅是继硅之后被研究最深入、应用最广泛的半导体材料，由于禁带宽度宽、电子迁移率高，因而不仅可直接研制光电子器件，如发光二极管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器，红外探测器和高效太阳能电池等，而且在微电子方面，以半绝缘砷化镓为基体，用直接离子注入自对准平面工艺研制的砷化镓高速数字电路、微波单片电路、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管，具有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点，不仅在国防上具有重要意义，在民用和国民经济建设中更有广泛应用。
高科技材料的特点？
特点有：高强度、高刚度、高硬度、耐高温、耐磨、耐蚀、抗辐照等。
随着科学技术发展，人们在传统材料的基础上，根据现代科技的研究成果，开发出新材料。新材料按组分为金属材料、无机非金属材料（如陶瓷、砷化镓半导体等）、有机高分子材料、先进复合材料四大类。
例如，超纯硅、砷化镓研制成功，导致大规模和超大规模集成电路的诞生，使计算机运算速度从每秒几十万次提高到每秒百亿次以上；航空发动机材料的工作温度每提高100℃，推力可增大24%；隐身材料能吸收电磁波或降低武器装备的红外辐射，使敌方探测系统难以发现等等。
锗硅工艺和cmos区别？
CMOS 是一种晶体管，晶体管的概念是区别与电子管
早些时候，电子信号要发射出去，需要放大，用的是真空玻璃的电子放大器，有控制栅极，有阴极电子发射端，有阳极收集端（收集电子的）
后来，1947年，咱们集成电路的发明人，用晶体实现了电信号的放大，用的是锗晶体做成的半导体器件，就叫晶体管
晶体管，有两种模式，一种是单极型晶体管，一种载流子参与工作，另一种是双极型晶体管，两种载流子参与工作
单极型的晶体管，也叫场效应管，场效应，就是利用电场效应改变电荷分布，场效应晶体管，就是利用电压（电场），改变了工作电流的大小，有结型场效应管，和金属氧化物半导体型场效应管（MOSFET）
双极型晶体管，就是两个PN结共同作用，主要分为PNP型、NPN型
继续，MOSFET，继续分类，就是N-MOSFET和P-MOSFET，这俩器件组合在一起叫做推挽型MOSFET，也叫CMOS，CMOS=NMOS+PMOS
无论是做双极晶体管，还是单极晶体管，可选的材料体系有硅、锗、锗硅合金、砷化镓化合物、铟磷化合物...等等
硅基半导体材料？
是以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。
第一代半导体以硅（Si）和锗（Ge）为代表，当前全球绝大多数的半导体器件均以硅为基础材料制造，占据着半导体产业90%以上的市场份额。
第二代半导体以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等化合物为代表，这类半导体主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。
第三代半导体以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等化合物为代表，又被称为宽禁带半导体材料，应用场景主要分布在功率和射频领域。与前两代半导体材料相比，第三代半导体具备更宽的禁带宽度、饱和电子漂移速率高、更高的击穿电场、导热率高等优点。